Μια ακόμη σχεδίαση που χρησιμοποιεί στην έξοδο τρανζίστορ τεχνολογίας V-MOSFET. Τα τρανζίστορ αυτά μας προσφέρουν πολλά προτερήματα σε σχέση με τα απλά διπολικά τρανζίστορ , όπως υψηλές ταχύτητες, θερμική ευστάθεια, χαμηλές παραμορφώσεις κλπ. Πέρα από αυτό το κύκλωμα χρησιμοποιεί και άλλες χρήσιμες λύσεις όπως χρήση fet σαν πηγή ρεύματος [Q3], το trimmer TR1 με το οποίο ταιριάζουμε τα χαρακτηριστικά του διαφορικού ενισχυτού εισόδου Q1-2. Επίσης εκτεταμένη είναι η χρήση πηγών ρεύματος Wilson Q7-8 και Q10-11 .Με το trimmer TR2 ρυθμίζουμε το ρεύμα ηρεμίας του σταδίου εξόδου στα 100 ma . Η χρήση των διόδων D2 έως D5 σε συνδυασμό με τις αντιστάσεις R17-19 , προστατεύουν τις πύλες των τρανζίστορ V-FET από το να ξεπεράσει η τάση τα ± 14V και να δημιουργήσει διάτρηση στο πολύ λεπτό στρώμα SiO2 , που χρησιμοποιείται σαν μόνωση στην πύλη . Αυτός ο τρόπος προστασίας είναι κοινός σε όλους τους ενισχυτές που χρησιμοποιούν αυτά τα τρανζίστορ. Το συνολικό κέρδος του ενισχυτού είναι 32.6 , ρυθμιζόμενο από τις R18, R6 και R8, στην ανάδραση. Επίσης χρησιμοποιείται αρκετά η χρήση τοπικής ανάδρασης για σταθεροποίηση της λειτουργίας κάτω από όλες τις συνθήκες . Επειδή τα τρανζίστορ V-FET έχουν θετικό συντελεστή θερμοκρασίας , με αποτέλεσμα με την αύξηση της θερμοκρασίας αυξάνεται και η αντίσταση τους. Αυτή η αύξηση έχει σαν αποτέλεσμα την μείωση του ρεύματος που διαρρέει το τρανζίστορ , άρα και η ισχύς του. Η χρήση διαχωρισμένης τροφοδοσίας στα στάδια οδήγησης και εξόδου, εξασφαλίζει σταθερότητα και αποφυγή παραμορφώσεων ενδοδιαμόρφωσης. Το αρχικό σχέδιο είναι του L. Hood και δημοσιεύτηκε από το Wireless Word.